dunia elektonik digital dan komputer, servis elektronik
Pengertian Transistor
Pengertian Transistor, Jenis, dan Karakteristik. Transistor
adalah salah satu komponen yang selalu ada di setiap rangkaian elektronika, seperti
radio, televisi, handphone, lampu flip-flop dll. Fungsi dari komponen ini
sangatlah penting. Kebanyakan, transistor digunakan untuk kebutuhan
penyambungan dan pemutusan (switching), seperti halnya saklar. Yaitu untuk
memutus atau menyambungkan arus listrik. Selain itu transistor juga berfungsi
sebagai penguat (amplifier), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, dan banyak
lagi. Keinginan kita untuk merubah fungsitransistor ini adalah dari pemilihan
jenis transistor atau dengan cara perangkaian sirkit transistoritu sendiri.
Dengan banyaknya fungsi itu, komponen transistor banyak sekali digunakan di
dalam rangkaian elektronika.
Jenis-jenis transistor dibedakan berdasarkan arus inputnya
BJT (Bipolar Junction Transistor) atau tegangan inputnya FET (Field Effect
Transistor). Yang membedakan transistor dengan komponen lain, adalah memiliki 3
kaki utama, yaitu Base (B), Collector, (C) dan Emitter (E). dimanabase terdapat arus yang sangat kecil, yang berguna
untuk mengatur arus dan tegangan yang ada pada Emitor, pada keluaran arus
Kolektor. Sehingga apabila terdapat arus pada basis, tegangan yang besar pada
kolektor akan mengalir menuju emitor.
Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain
Germanium, Silikon, Galium Arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu
sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga
beberapa transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted
Circuit).
Contoh penggunaan transistor dalam rangkaian analog, adalah
digunakan untuk fungsi amplifier (penguat), rangkaian analog melingkupi
pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio.
Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar
berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa
sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian
lainnya.
Sejarah transistor
Di pertengahan 1940-an sekelompok ilmuwan yang bekerja di
Bell Telephone Labs di Murray Hill, New Jersey, merintis penemuan divais untuk
menggantikan teknologi tabung hampa (vacuum tube) saat itu. Tabung hampa
menjadi satu-satunya teknologi saat itu untuk menguatkan sinyal atau sebagai
saklar dalam elektronika. Masalahnya ialah tabung hampa sangat mahal,
mengkonsumsi banyak daya listrik, panas, dan tak-relieable, sehingga perlu
perawatan ekstra.
Para ilmuwan tersebut (yang berhasil menemukan transistor
pada 1947) ialah John Bardeen, Walter
Brattain, dan William Shockley. Bardeen (Ph.D. dalam matematika dan fisika dari
Princeton University) merupakan spesialis dalam sifat menghantarkan elektron dari
semikonduktor. Brattain (Ph.D., ahli dalam struktur atom zat padat pada
permukaan dan fisika zat padat). Shockley (Ph.D., pemimpin riset transistor di
Bell Labs).
Jenis-Jenis Transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan
banyak kategori:
Materi semikonduktor
: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
Kemasan fisik : Through Hole Metal,
Through Hole Plastic, Surface Mount, IC
Tipe : UJT,
BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET
Polaritas : NPN atau
N-channel, PNP atau P-channel
Maximum kapasitas daya
: Low Power, Medium Power, High Power
Maximum frekuensi kerja
: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave
Aplikasi : Amplifier,
Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain
Bipolar junction transistor (BJT)
Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor
yang memiliki tiga kaki, yaitu (Basis, Kolektor, dan Emitor) dan di pisah
menjadi dua arah aliran, positif dan negatif. Aliran positif dan negatif diantara Basis dan Emitor terdapat tegangan
dari 0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan sumber yang dipakai. Dan besar
tegangan tersebut merupakan parameter utama transistor tipe BJT. Tidak seperti
Field Effect transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu
jenis pembawaan (Elektron atau Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe
pembawaan (Elektron dan Holes), hal tersebut yang dinamakan dengan Bipolar
Ada dua jenis tipe transistor BJT, yaitu tipe PNP dan NPN.
Dimana NPN, terdapat dua daerah negatif yang dipisah dengan satu daerah
positif. Dan PNP, terdapat dua daerah positif yang dipisah dengan daerah
negatif.
Pada transistor jenis NPN terdapat arah arus aliran yang
berbeda dengan transistor jenis PNP, dimana NPN mengalir arus dari kolektor ke
emitor. Dan pada NPN, untuk mengalirkan arus tersebut dibutuhkan sambungan ke
sumber positif (+) pada kaki basis. Cara kerja NPN adalah ketika tegangan yang
mengenai kaki basis, hingga dititik
saturasi, maka akan menginduksi arus dari kaki kolektor ke emitor. Dan
transistor akan berlogika 1 (aktif). Dan apabila arus yang melalui basis berkurang,
maka arus yang mengalir pada kolektor ke emitor akan berkurang, hingga titik
cutoff. Penurunan ini sangatlah cepat karena perbandingan penguatan yang
terjadi antara basis dan kolektor melebihi 200 kali.
Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:
sirkuit sederhana transistor NPN
PNP
Transistor PNP
Pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika arus mengalir pada
kaki basis, maka transistor berlogika 0 (off). Arus akan mengalir apabila kaki
basis diberi sambungan ke ground (-) hal ini akan menginduksi arus pada kaki
emitor ke kolektor, hal yang berbeda dengan NPN, yaitu arus mengalir pada
kolektor ke emitor. Penggunaan transistor jenis ini mulai jarang digunakan.
Dibanding dengan NPN, transistor jenis PNP
mulai sulit ditemukan dipasaran
Contoh gambar rangkaian penggunaan transistor PNP:
sirkuit sederhana transistor PNP
Karaktersitik dan daerah kerja
Transistor BJT digunakan untuk 3 penggunaan berbeda: mode
cut off, mode linear amplifier, dan mode saturasi. Penggunaan fungsi transistor
bisa menggunakan karakteristik dari masing-masing daerah kerja ini. Selain
untuk membuat fungsi daripada transistor, karakteristik transistor juga dapat
digunakan untuk menganalisa arus dan tegangan transistor
Karakteristik daerah kerja transistor
Karakteristik dari masing-masing daerah operasi transistor
tersebut dapat diringkas sebagai berikut:
• Daerah
Potong (cutoff):
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak
terjadi pergerakan elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus
Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus
Basis adalah 0).
• Daerah
Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju.
Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung
kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi
komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda
Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat),
yaitu tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.
• Daerah
Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi
prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:
atau
sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor
menjadi komponen yang dapat dikendalikan.
• Daerah
Breakdown
Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi
tegangan Breakdown-nya, BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke
Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi
spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.
Contoh sederhana penggunaan transistor tipe NPN dengan
fungsi switching
contoh penggunaan transistor NPN
Ketika saklar (switch) diaktifakan, maka terdapat arus yang
mengalir pada resistor 1k dan menuju basis transistor. Ketika basis transistor
terdapat arus, maka arus yang berada pada kolektor juga mengalir pada emitor
yang mengakibatkan lampu menyala, karena lampu berada pada aliran tertutup
(close circuit).
Field Effect Transistor (FET)
Field Effect Transistor adalah jenis transistor yang dapat
digunakan untuk menghasilkan sinyal untuk mengontrol komponen yang lain.
Komponen Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi
yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan
transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama
antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar
arus output (Ic) dikendalikan oleh arus input (Ib). Sedangkan dalam FET arus
output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (Vgs), karena arus input adalah
nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.
Transistor efek medan mempunyai keunggulan lebih stabil
terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih
mudah dari transistor bipolar, sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping
rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET
cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar.
Namun umumnya transistor bipolar lebih
peka terhadap input, atau dengan kata lain penguatannya lebih besar. Disamping
itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon
frekuensi yang lebih lebar. Jenis dari transistor FET itu sendiri adalah JFET
dan MOFET
Junction Field Effect Transistor (JFET)
Keluarga FET yang penting lainnya adalah JFET (Junction
Field Efect Transistor) dan MOSFET (Metal-Oxide Semiconduktor Field-Effect
Transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan Kanal N. JFET adalah komponen tiga
terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol arus antara dua terminal
lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P, sebagaimana
transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Pada umumnya penjelasan tentang JFET
adalah kanal-N, karena kanal-P adalah kebalikannya.
Transistor JFET
JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang terbuat dari
sekeping semikonduktor (misalnya tipe N). pada saluran ini ditempelkan dua
bagian yang terbuat dari semikonduktor jenis yang berbeda (misalnya tipe P).
bagian ini disebut Gate. Dan pada bagian lain, ujung bawah di sebut source
sedangkan ujung atas disebut drain (sesuai gambar).
Cara kerja JFET
jika channel antara source dengan drain cukup lebar maka
elektrok akan mengalir dari source ke drain, hal ini sama seperti hukum GGL.
dimana beda potensial tinggi ke potensial rendah. Dan jika channel ini
menyempit, maka aliran elektron akan berkurang atau berhenti sama sekali. Lebar
channel sangat ditentukan oleh Vgs (Tegangan antara Gate dengan Source).
Ilustrasinya seperti gambar berikut
Drain harus lebih positif dari source sedangkan gate harus
lebih negatif dari source. Jika tegangan gate cukup negatif, maka lapisan
pengosongan akan saling bersentuhan sehingga saluran akan terjepit sehingga Id
= 0. Tegangan Vgs ini kadang-kadang disebut sebagai tegangan pinch-off
(pinch-off voltage) dan besarnya tegangan ini ditentukan oleh karakteristik
JFET.
Sambungan gate dengan source merupakan diode silicon yang
diberi prategangan terbalik sehingga idealnya tidak ada arus yang mengalir.
Dengan demikian maka Is = Id. Karena tidak ada arus yang mengalir ke gate maka
resistansi masukan JFET sangat tinggi (puluhan sampai ratusan Mega OHM)
Contoh pemasangan JFET
Penggunaan JFET sangat sesuai untuk aplikasi yang
membutuhkan resistansi masukan yang tinggi. Sedangkan kekurangannya adalah
untuk menghasilkan perubahan Id yang besar, diperlukan perubahan Vg yang besar.
Metal Oxide Semiconduktor Field Effect
Transistor(MOSFET)
Transistor MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconduktor Field Effect Transistor)
adalah suatu transistor dari bahan semiconduktor (silicon) dengan tingkat
konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidak murnian ini akan
menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe–N (NMOS) dan
transistor MOSFET tipe-P (PMOS).
Bahan silicon digunakan sebagai landasan (subsrat) dari
penguras (drain), dan sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya
transistor dibuat sedemikian rupa agar antara subsrat dan gerbangnya dibatasi
oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan diatas sisi kiri
dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding
dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) yaitu menghasilkan daya
rendah.
Cara kerja MOSFET dibedakan menjadi dua yaitu:
transistor mode depletion
1. 1. Transistor
Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
Pada transistor mode depletion, antara drain dan source
terdapat saluran yang menghubungkan dua terminal tersebut, dimana saluran
tersebut terdapat fungsi sebagai saluran tempat mengalirnya elektron bebas.
Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan gerbang.
Transistor MOSFET mode pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P
transistor mode enchancement
2. 2, Transistor
Mode Peningkatan (transistor Mode Enchancement)
Transistor mode enchancement ini pada fisiknya tidak
memiliki saluran antara drain dan source nya karena lapisan bulk meluas dengan
lapisan SiO2 pada terminal gate. Transistor MOSFET mode peningkatan terdiri
dari tipe-N dan Tipe-P
Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor
MOSFET dapat dikelompokkan menjadi tiga, antara lain:
1. NMOS
2. PMOS
3. CMOS
Semoga ilmu tentang pengertian transistor ini, dapat
berguna dan mempunyai manfaat yang lebih. Trimakasih
tags: pengertian transistor, jenis-jenis transistor,
transistor dan karakteristik, pengertian BJT, NPN dan PNP, pengertian
transistor JFET MOSFET, daerah kerja transistor, field effect transistor, cara
memasang transistor
CARA MENENTUKAN KAKI TRANSISTOR
Menentukan kaki transistor adalah tehnik dasar buat yang
hoby elektronika.Hal ini ternyata gampang-gampang susah,gampangnya ya kalau
sudah tahu susahnya tentu ya karena belum tahu he..he..he...
Bila kita telah dapat menentukan mana Basis (B),Emitor (E)
dan Colector (C),berarti kita dapat mengetahui transistor itu rusak atau sudah
bocor.Tadinya hal ini saya ga posting karena dalam postingan saya dah ada
rangkaian elektronika yang berjudul PENGUJI TRANSISTOR dengan rangkaian ini
secara otomatis kita dapat mengetahui jenis transistor dan dapat mengetahui
kaki transistor serta bahan transistor tersebut,tapi buat para sahabat yang
males membuat rangkaian dapat menggunakan tehnik seperti ini.
Silahkan anda simak :
Pertama temukan kaki BASE (B) seperti gambar dibawah
ini,hal ini juga kita dapat mengetahui transistor tersebut masih baik atau
rusak.
Gunakan pada avo meter dengan skala x1 atau x10,jangan
gunakan x1k atau x10k.
Hasil pengukuran diatas adalah :
1. A dan B “jalan”, Base di kaki 1 jenis transistor NPN
2. C dan D “jalan”, Base di kaki 2 jenis transistor NPN
3. E dan F “jalan”, Base di kaki 3 jenis transistor NPN
4. D dan E “jalan”, Base di kaki 1 jenis transistor PNP
5. A dan F “jalan”, Base di kaki 2 jenis transistor PNP
6. B dan C “jalan”, Base di kaki 3 jenis transistor PNP
7. Selain kombinasi di atas, berarti transistor rusak(short
antar kaki-kakinya)
Mencari kaki Emitor(E) dan Colektor(C) :
1.Set AVO meter pada posisi x1k atau x10k
2.Misal transistor yang kita gunakan jenis NPN
3.Lakukan pengukuran seperti gambar di bawah
Perhatikan penunjukkan jarum, apabila jarum bergerak ke
kanan maka kaki 1 (pada probepositif) adalah emittor dan kaki 2 (pada posisi
probe negatif) adalah colektor. Atau Jika dipasang kebalikkannya (probe positif
pada kaki 2 dan probe negatif pada kaki 1) dan jarum tidak bergerak, maka kaki
1 adalah emitter dan kaki 2 adalah kolektor.
Untuk transistor jenis PNP dapat dilakukan seperti diatas
dan hasilnya kebalikan dari jenis NPN

No comments:
Post a Comment